ULTRARAM
Um novo tipo de memória de computador, que é chamada de ULTRARAM™, passou da escala de laboratório para a escala das pastilhas de silício, um passo que é decisivo e muito importante em direção à possibilidade de uma fabricação em escala industrial.
A ULTRARAM é um novo tipo de memória híbrida, que combina a não-volatilidade de uma memória de armazenamento de dados, como a flash, com a velocidade, eficiência energética e durabilidade de uma memória de trabalho, como a DRAM.
Para conseguir isso, ela utiliza as propriedades de semicondutores especiais que até agora só vinham sendo usados em componentes fotônicos, como LEDs, diodos de laser e detectores infravermelhos, mas não na eletrônica digital, dominada pelo silício.
O nome ULTRARAM não é uma sigla e nem se refere a eventuais vantagens de desempenho, sendo apenas uma marca comercial registrada pela Universidade de Lancaster, no Reino Unido, onde a memória foi criada e está sendo desenvolvida.
Agora, a equipe finalmente conseguiu compatibilizar as pastilhas de silício usadas pela indústria com os semicondutores especiais usados na memória – arseneto de índio (InAs), antimoneto de gálio (GaSb) e antimoneto de alumínio (AlSb).
“A ULTRARAM sobre silício é um grande avanço para nossa pesquisa, superando desafios de materiais muito significativos, como a grande incompatibilidade de rede cristalina, a mudança de semicondutor elementar para composto e diferenças em contração térmica,” comentou o professor Manus Hayne, que lidera o trabalho de desenvolvimento da memória híbrida, que a equipe chama de memória universal.
Melhor que flash
Devido à maturidade da indústria de fabricação de chips de silício e ao custo multibilionário de construir fábricas de chips, a implementação de qualquer tecnologia eletrônica digital em pastilhas de silício é essencial para sua comercialização.
Segundo a equipe, os primeiros protótipos da ULTRARAM em pastilhas de silício superam todas as encarnações anteriores da tecnologia em pastilhas de semicondutores compostos de arseneto de gálio (GaAs), demonstrando tempos de armazenamento de dados extrapolados de pelo menos 1.000 anos e resistência de pelo menos 10 milhões de ciclos de leitura e apagamento, o que fica entre 100 e 1.000 vezes melhor do que as memórias flash.
De: Redação do Site Inovação Tecnológica
